25,630.02
+64.28
(+0.25%)
25,633
+35
(+0.14%)
高水3
8,516.08
+25.77
(+0.30%)
4,627.93
+7.64
(+0.17%)
1,005.43億
3,958.45
+1.88
(+0.048%)
4,622.16
-8.12
(-0.175%)
14,009.57
-39.31
(-0.280%)
2,740.34
-0.08
(0.00%)
79,788.0500
-461.5400
(-0.575%)
Rani Therapeutics Holdings
  • 0.854
  • +0.013
  • (+1.521%)
  • 最高
  • 0.868
  • 最低
  • 0.840
  • 成交股數
  • 31.30萬
  • 成交金額
  • 22.74萬
  • 前收市
  • 0.841
  • 開市
  • 0.840
  • 盤後
  • 0.850
  • -0.005
  • (-0.550%)
  • 最高
  • 0.854
  • 最低
  • 0.840
  • 成交股數
  • 2,470.00
  • 成交金額
  • 2,097.72
  • 買入
  • 0.764
  • 賣出
  • 0.949
  • 市值
  • 9.71千萬
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 650
  • 每宗成交金額
  • 350
  • 波幅
  • 15.936%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • --/-4.28
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • 7.298%
  • 風險率
  • 0.455
  • 振幅率
  • 5.661%
  • 啤打系數
  • 2.103

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 27/08/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

28/08/2026 03:39

美股動向 | SK海力士斥逾40億美元印第安納州建HBM廠

  《經濟通通訊社28日專訊》南韓記憶體晶片商SK海力士(US.SKHY)周四(27日)在美國印第安納州西拉法葉舉行先進封裝廠奠基儀式,正式啟動集團首個美國高頻寬記憶體(HBM)生產基地,項目投資額逾40億美元。

 

  項目位於普渡研究園區,佔地約133.5英畝,將設HBM先進封裝生產線及AI半導體研發中心。SK海力士預計於2028年10月完成潔淨室,並於2029年下半年開始下一代HBM量產;屆時南韓生產的晶圓將運往美國進行封裝及測試,再以「美國製造」產品供應當地客戶。(kk)

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