26,029.94
-359.10
(-1.36%)
25,967
-370
(-1.40%)
低水63
8,711.94
-146.69
(-1.66%)
4,962.07
-114.13
(-2.25%)
1,700.88億
4,163.06
-14.86
(-0.356%)
4,885.89
-28.71
(-0.584%)
15,661.16
-84.58
(-0.537%)
2,851.64
-28.43
(-0.99%)
80,874.4400
-215.5600
(-0.266%)
安森美半導體
  • 118.370
  • +2.660
  • (+2.299%)
  • 最高
  • 119.100
  • 最低
  • 112.510
  • 成交股數
  • 1.15千萬
  • 成交金額
  • 12.39億
  • 前收市
  • 115.710
  • 開市
  • 115.120
  • 盤後
  • 117.230
  • -1.140
  • (-0.963%)
  • 最高
  • 119.190
  • 最低
  • 117.230
  • 成交股數
  • 49.77萬
  • 成交金額
  • 5.85千萬
  • 買入
  • 115.390
  • 賣出
  • 121.410
  • 市值
  • 453.47億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 94224
  • 每宗成交金額
  • 13,149
  • 波幅
  • 13.733%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 85.08/27.38
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • 14.889%
  • 風險率
  • 13.643
  • 振幅率
  • 7.079%
  • 啤打系數
  • 2.538

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 14/05/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

01/11/2025 02:35

美股動向 | 安森美推出垂直氮化鎵半導體,拓AI及電動車高耗能應用

  《經濟通通訊社31日專訊》智能電源和傳感技術企業安森美(US.ON)宣布,推出垂直氮化鎵功率半導體,為人工智能數據中心、電動汽車及可再生能源等高耗能應用領域,在功率密度、效率和耐用性方面樹立全新行業標準。

 

  這項突破性的技術建基於創新的「氮化鎵上氮化鎵」架構,其核心特點是讓電流垂直流過化合物半導體晶片,而非像傳統技術般在表面橫向流動。這種垂直導電設計,使新的vGaN功率半導體能夠在單一晶片中處理高達1200伏特甚至更高的電壓,並以極高頻率進行開關,從而大幅提升效能。​(kk)

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