24,896.04
-191.71
(-0.76%)
24,900
-155
(-0.62%)
高水4
8,301.78
-60.82
(-0.73%)
4,395.32
-42.89
(-0.97%)
988.15億
3,938.08
-14.05
(-0.356%)
4,521.75
-22.84
(-0.503%)
13,644.72
-79.02
(-0.576%)
2,656.46
-15.73
(-0.59%)
87,199.9900
+991.4200
(1.150%)
英特爾
  • 123.860
  • +2.080
  • (+1.708%)
  • 最高
  • 124.090
  • 最低
  • 120.075
  • 成交股數
  • 1.08億
  • 成交金額
  • 118.56億
  • 前收市
  • 121.780
  • 開市
  • 120.150
  • 盤後
  • 124.235
  • 0.375
  • (+0.303%)
  • 最高
  • 131.582
  • 最低
  • 45.770
  • 成交股數
  • 67.01萬
  • 成交金額
  • 11.27億
  • 買入
  • 124.210
  • 賣出
  • 124.880
  • 市值
  • 6,437.42億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 513114
  • 每宗成交金額
  • 23,107
  • 波幅
  • 18.549%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • --/58.58
  • 周息率/預期
  • 0.10%/--
  • 10日股價變動
  • 20.323%
  • 風險率
  • 32.913
  • 振幅率
  • 8.176%
  • 啤打系數
  • 3.600

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 22/09/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

08/09/2026 20:53

美股動向 | ASML擬研發新一代光刻機,瞄準大型AI數據中心晶片

  《經濟通通訊社8日專訊》荷蘭晶片設備巨頭ASML(US.ASML)計劃與英偉達(US.NVDA)、谷歌(US.GOOG)、英特爾(US.INTC)、台積電(US.TSM)及三星等主要晶片商合作,推進更大尺寸掩模版技術,以突破下一代High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光刻)設備的晶片尺寸限制,瞄準AI數據中心大型晶片需求。

 

  ASML現有EUV設備可支援面積約800平方毫米的晶片,但High-NA EUV採用較小掩模版,曝光面積受限,難以直接應付部分大型AI加速器的製造需求。ASML目前正研究12吋掩模版方案,計劃於2031年展示試驗生產線,2033年具備高量產能力。公司技術主管表示,新方案有望提升生產效率最多約40%。

 

  ASML官方資料顯示,High-NA EUV採用0.55數值孔徑,最高解析度可達8納米,現正推進量產應用。(kk)

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